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Référence Digi-Key TK62N60XS1F-ND
Quantité disponible 339
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK62N60X,S1F

Description MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
Description étendue N-Channel 600V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK62N60X
Produit représenté DTMOS4 High Speed Super Junction MOSFETs
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Catégories
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série DTMOSIV-H
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 61,8 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5 V à 3,1 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 135 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6500 pF à 300 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET Super Junction
Dissipation de puissance (max) 400 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 40 mOhms à 21 A, 10 V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30
Autres Noms TK62N60X,S1F(S
TK62N60XS1F

09:22:34 2/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 9,56000 9,56
10 8,60200 86,02
25 7,83720 195,93
100 7,07280 707,28
250 6,49928 1.624,82

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