Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key IRF510PBF-ND
Quantité disponible 3.983
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF510PBF

Description MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
Description étendue N-Channel 100V 5.6A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF510
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1444 (CH2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
종류
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 8,3nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 180pF à 25V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 43W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 540 mOhms à 3,4A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF510PBF

19:37:11 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,86000 0,86
10 0,76000 7,60
25 0,71400 17,85
100 0,58280 58,28
250 0,54132 135,33
500 0,46070 230,35
1.000 0,36856 368,56
2.500 0,33401 835,03
5.000 0,31098 1.554,88

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires