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Référence Digi-Key IRF510PBF-ND
Quantité disponible 3.306
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF510PBF

Description MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
Description étendue N-Channel 100V 5.6A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF510
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1444 (CH2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8,3 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 180 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 43 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 540 mOhms à 3,4 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF510PBF

21:38:21 2/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,84000 0,84
10 0,73900 7,39
25 0,69440 17,36
100 0,56690 56,69
250 0,52656 131,64
500 0,44812 224,06
1.000 0,35850 358,50
2.500 0,32489 812,23
5.000 0,30249 1.512,43

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