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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRF510PBF-ND
Quantité disponible 4.838
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF510PBF

Description MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF510
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1444 (CH2011-FR PDF)
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 540 mOhms à 3,4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 8,3nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 180pF à 25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
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Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF510PBF

11:08:45 12/10/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,85000 0,85
10 0,74700 7,47
25 0,70160 17,54
100 0,57270 57,27
250 0,53192 132,98
500 0,45268 226,34
1.000 0,36215 362,15
2.500 0,32820 820,50
5.000 0,30556 1.527,82

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