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Référence Digi-Key IRF630PBF-ND
Quantité disponible 6.648
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF630PBF

Description MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
Description étendue N-Channel 200V 9A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF630PBF
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1444 (CH2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 43 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 800 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 74 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 400 mOhms à 5,4 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF630PBF

05:46:28 3/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,02000 1,02
10 0,91200 9,12
25 0,86600 21,65
100 0,71130 71,13
250 0,66492 166,23
500 0,58758 293,79
1.000 0,46388 463,88
2.500 0,43296 1.082,39
5.000 0,41131 2.056,54

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