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Référence Digi-Key IRF640PBF-ND
Quantité disponible 4.701
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF640PBF

Description MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
Description étendue N-Channel 200V 18A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF640, SiHF640
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN SIL-099-2014-Rev-0 12/Nov/2014
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1444 (CH2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 70nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1300pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 125 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 180 mOhms à 11A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF640PBF

13:56:32 1/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,44000 1,44
10 1,28800 12,88
25 1,22280 30,57
100 1,00440 100,44
250 0,93892 234,73
500 0,82974 414,87
1.000 0,65506 655,06
2.500 0,61139 1.528,48
5.000 0,58082 2.904,11

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