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Référence Digi-Key IRF740PBF-ND
Quantité disponible 714
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF740PBF

Description MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
Description étendue N-Channel 400V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF740PBF
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN SIL-099-2014-Rev-0 12/Nov/2014
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1444 (CH2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 400V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 63 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1400 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 125 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 550 mOhms à 6 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF740PBF

11:04:20 2/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,44000 1,44
10 1,28700 12,87
25 1,22080 30,52
100 1,00280 100,28
250 0,93736 234,34
500 0,82838 414,19
1.000 0,65399 653,99
2.500 0,61039 1.525,97
5.000 0,57987 2.899,34

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