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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRLD024PBF-ND
Quantité disponible 10.517
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRLD024PBF

Description MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRLD024
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1445 (CH2011-FR PDF)
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,5A (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 100 mOhms à 1,5A, 5V
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 18nC à 5V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 870pF à 25V
Puissance max. 1,3W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier 4-DIP (0,300 po, 7,62 mm)
Boîtier fournisseur 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 100
Autres Noms *IRLD024PBF

04:09:35 12/3/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,90000 0,90
10 0,79900 7,99
25 0,75800 18,95
100 0,62250 62,25
250 0,58192 145,48
500 0,51428 257,14
1.000 0,40600 406,00
2.500 0,37894 947,34
5.000 0,35999 1.799,95

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