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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRLD120PBF-ND
Quantité disponible 2.611
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRLD120PBF

Description MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRLD120
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1445 (CH2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 270 mOhms à 780mA, 5V
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 12nC à 5V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 490pF à 25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier 4-DIP (0,300 po, 7,62 mm)
Boîtier fournisseur 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 100
Autres Noms *IRLD120PBF

18:43:42 12/10/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,68000 0,68
10 0,59400 5,94
25 0,55840 13,96
100 0,45570 45,57
250 0,42332 105,83
500 0,36026 180,13
1.000 0,28821 288,21
2.500 0,26119 652,98
5.000 0,24318 1.215,89

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