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Présentation des produits
Référence Digi-Key SI1012R-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 25.223
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI1012R-T1-GE3

Description MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A
Description étendue N-Channel 20V 500mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SC-75A
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI1012R,X
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1577 (CH2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 500 mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 900 mV à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 0,75 nC à 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds -
Vgs (max.) ±6 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 150 mW (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 700 mOhms à 600 mA, 4,5 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur SC-75A
Boîtier SC-75A
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI1012R-T1-GE3CT

19:36:24 3/30/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,42000 0,42
10 0,34600 3,46
25 0,31600 7,90
100 0,23520 23,52
250 0,21316 53,29
500 0,17642 88,21
1.000 0,13231 132,31

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI1012R-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3.000
  • Quantité disponible: 24.000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,11775
  • Digi-Reel® ? : SI1012R-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 25.223 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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