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Référence Digi-Key SI1013R-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 30.512
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI1013R-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A
Description étendue P-Channel 20V 350mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SC-75A
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques Si1013R,X
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1580 (CH2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 350 mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 450 mV à 250 µA (min)
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 1,5 nC à 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds -
Vgs (max.) ±6 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 150 mW (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,2 Ohms à 350 mA, 4,5 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur SC-75A
Boîtier SC-75A
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI1013R-T1-GE3CT

19:27:08 2/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,40000 0,40
10 0,32600 3,26
25 0,29760 7,44
100 0,22150 22,15
250 0,20080 50,20
500 0,16616 83,08
1.000 0,12463 124,63

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI1013R-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3.000
  • Quantité disponible: 30.000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,11091
  • Digi-Reel® ? : SI1013R-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 30.512 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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