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Référence Digi-Key SI1302DL-T1-E3CT-ND
Quantité disponible 1.334
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI1302DL-T1-E3

Description MOSFET N-CH 30V 600MA SOT323-3
Description étendue N-Channel 30V 600mA (Ta) 280mW (Ta) Surface Mount SC-70-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI1302DL
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1577 (CH2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 600 mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 1,4 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds -
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 280 mW (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 480 mOhms à 600 mA, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur SC-70-3
Boîtier SC-70, SOT-323
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI1302DL-T1-E3CT

04:38:40 2/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,47000 0,47
10 0,37500 3,75
25 0,34320 8,58
100 0,25540 25,54
250 0,23144 57,86
500 0,19156 95,78
1.000 0,14366 143,66

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI1302DL-T1-E3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3.000
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,12786
  • Digi-Reel® ? : SI1302DL-T1-E3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 1.334 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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