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Référence Digi-Key SI2312BDS-T1-E3CT-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

SI2312BDS-T1-E3

Description MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Description étendue N-Channel 20V 3.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques Si2312BDS
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1577 (CH2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,9 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 850 mV à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12 nC à 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds -
Vgs (max.) ±8 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 750 mW (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 31 mOhms à 5 A, 4,5 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI2312BDS-T1-E3CT

22:29:21 3/29/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,40000 0,40
10 0,33700 3,37
25 0,31440 7,86
100 0,25160 25,16
250 0,23360 58,40
500 0,19766 98,83
1.000 0,15273 152,73

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI2312BDS-T1-E3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3.000
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,14392
  • Digi-Reel® ? : SI2312BDS-T1-E3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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