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Référence Digi-Key SI2312CDS-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 12.857
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI2312CDS-T1-GE3

Description MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
Description étendue N-Channel 20V 6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 19 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI2312CDS
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 1 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 18 nC à 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 865 pF à 10 V
Vgs (max.) ±8 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1,25 W (Ta), 2,1 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 31,8 mOhms à 5 A, 4,5 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI2312CDS-T1-GE3CT

04:44:13 3/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,42000 0,42
10 0,36300 3,63
25 0,33960 8,49
100 0,27160 27,16
250 0,25216 63,04
500 0,21338 106,69
1.000 0,16488 164,88

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI2312CDS-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3.000
  • Quantité disponible: 12.000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,14595
  • Digi-Reel® ? : SI2312CDS-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 12.857 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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