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Présentation des produits
Référence Digi-Key SI2315BDS-T1-E3CT-ND
Quantité disponible 9.432
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI2315BDS-T1-E3

Description MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI2315BDS
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1580 (CH2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 12V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3A (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 50 mOhms à 3,85A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 900mV à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 15nC à 4,5V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 715pF à 6V
Puissance max. 750mW
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI2315BDS-T1-E3CT

06:29:41 12/9/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,47000 0,47
10 0,37900 3,79
25 0,34680 8,67
100 0,25800 25,80
250 0,23380 58,45
500 0,19350 96,75
1.000 0,14512 145,12

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI2315BDS-T1-E3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3.000
  • Quantité disponible: 9.000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,12916
  • Digi-Reel® ? : SI2315BDS-T1-E3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 9.432 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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