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Référence Digi-Key SI4401DDY-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 3.696
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI4401DDY-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-SOIC
Description étendue P-Channel 40V 16.1A (Tc) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Surface Mount 8-SO
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI4401DDY
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 40V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 16,1 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 95 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3007 pF à 20 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,5 W (Ta), 6,3 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 15 mOhms à 10,2 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 8-SO
Boîtier 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI4401DDY-T1-GE3CT

19:04:41 2/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,79000 0,79
10 0,69800 6,98
25 0,65560 16,39
100 0,53520 53,52
250 0,49716 124,29
500 0,42310 211,55
1.000 0,33849 338,49

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI4401DDY-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2.500
  • Quantité disponible: 2.500 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,29782
  • Digi-Reel® ? : SI4401DDY-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 3.696 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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