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Présentation des produits
Référence Digi-Key SI4425DDY-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

SI4425DDY-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-SOIC
Description étendue P-Channel 30V 19.7A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 26 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI4425DDY
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 19,7 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 80nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2610pF à 15V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,5 W (Ta), 5,7 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 9,8 mOhms à 13A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 8-SO
Boîtier 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI4425DDY-T1-GE3CT

11:18:33 1/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,85000 0,85
10 0,75100 7,51
25 0,70480 17,62
100 0,57530 57,53
250 0,53432 133,58
500 0,45476 227,38
1.000 0,36380 363,80

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI4425DDY-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2.500
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,32009
  • Digi-Reel® ? : SI4425DDY-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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