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Référence Digi-Key SI4464DY-T1-E3CT-ND
Quantité disponible 5.578
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI4464DY-T1-E3

Description MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
Description étendue N-Channel 200V 1.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI4464DY
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1578 (CH2011-FR PDF)
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Categories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 18nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds -
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1,5W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 240 mOhms à 2,2A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 8-SO
Boîtier 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI4464DY-T1-E3CT

05:10:03 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,98000 0,98
10 0,87200 8,72
25 0,82760 20,69
100 0,67980 67,98
250 0,63552 158,88
500 0,56162 280,81
1.000 0,44339 443,39

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI4464DY-T1-E3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2.500
  • Quantité disponible: 5.000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,40177
  • Digi-Reel® ? : SI4464DY-T1-E3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 5.578 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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