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Présentation des produits
Référence Digi-Key SI4966DY-T1-E3CT-ND
Quantité disponible 25.186
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI4966DY-T1-E3

Description MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI4966DY
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET 2 canaux N (double)
Fonction FET Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C -
Rds passant (max.) à Id, Vgs 25 mOhms à 7,1A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 1,5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 50nC à 4,5V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds -
Puissance max. 2W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur)
Boîtier fournisseur 8-SO
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI4966DY-T1-E3CT

15:31:18 12/5/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,65000 1,65
10 1,48000 14,80
25 1,39640 34,91
100 1,18970 118,97
250 1,11712 279,28
500 0,97746 488,73
1.000 0,80990 809,90

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI4966DY-T1-E3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2.500
  • Quantité disponible: 20.000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,73208
  • Digi-Reel® ? : SI4966DY-T1-E3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 25.186 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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