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Référence Digi-Key SI5403DC-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

SI5403DC-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8
Description étendue P-Channel 30V 6A (Tc) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI5403DC
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1580 (CH2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 42 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1340 pF à 15 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,5 W (Ta), 6,3 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 30 mOhms à 7,2 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 1206-8 ChipFET™
Boîtier 8-SMD, conducteur plat
 
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  • Prix unitaire 9,93000
  • 1428-1019-1-ND
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI5403DC-T1-GE3CT

04:22:26 2/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,95000 0,95
10 0,85100 8,51
25 0,80760 20,19
100 0,66350 66,35
250 0,62024 155,06
500 0,54812 274,06
1.000 0,43272 432,72

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI5403DC-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3.000
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,39211
  • Digi-Reel® ? : SI5403DC-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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