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Référence Digi-Key SI7430DP-T1-E3CT-ND
Quantité disponible 4.199
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI7430DP-T1-E3

Description MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Description étendue N-Channel 150V 26A (Tc) 5.2W (Ta), 64W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques Si7430DP
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1579 (CH2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 150V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 26 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 8V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 43nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1735pF à 50V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 5,2 W (Ta), 64 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 45 mOhms à 5A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Boîtier PowerPAK® SO-8
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI7430DP-T1-E3CT

19:41:57 1/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,34000 2,34
10 2,10100 21,01
25 1,98200 49,55
100 1,68880 168,88
250 1,58572 396,43
500 1,38748 693,74
1.000 1,14964 1.149,64

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI7430DP-T1-E3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3.000
  • Quantité disponible: 3.000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 1,03918
  • Digi-Reel® ? : SI7430DP-T1-E3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 4.199 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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