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Référence Digi-Key SI7460DP-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 15.093
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI7460DP-T1-GE3

Description MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Description étendue N-Channel 60V 11A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI7460DP
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1579 (CH2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 100 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds -
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1,9 W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 9,6 mOhms à 18 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Boîtier PowerPAK® SO-8
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI7460DP-T1-GE3CT

09:59:37 3/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,59000 1,59
10 1,42500 14,25
25 1,34520 33,63
100 1,14600 114,60
250 1,07608 269,02
500 0,94156 470,78
1.000 0,78015 780,15

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
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