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Référence Digi-Key SI7461DP-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 5.217
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI7461DP-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Description étendue P-Channel 60V 8.6A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques Si7461DP
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1581 (CH2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8,6A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 190nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds -
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1,9W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 14,5 mOhms à 14,4A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Boîtier PowerPAK® SO-8
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI7461DP-T1-GE3CT

01:21:23 1/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,68000 1,68
10 1,50600 15,06
25 1,42120 35,53
100 1,21080 121,08
250 1,13692 284,23
500 0,99478 497,39
1.000 0,82424 824,24

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI7461DP-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3.000
  • Quantité disponible: 3.000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,74504
  • Digi-Reel® ? : SI7461DP-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 5.217 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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