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Référence Digi-Key SI7625DN-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

SI7625DN-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK
Description étendue P-Channel 30V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI7625DN
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Multiple Devices 11/Dec/2015
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 35 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 126 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4427 pF à 15 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,7 W (Ta), 52 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 7 mOhms à 15 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8
Boîtier PowerPAK® 1212-8
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI7625DN-T1-GE3CT

14:42:39 2/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,03000 1,03
10 0,91900 9,19
25 0,87240 21,81
100 0,71660 71,66
250 0,66984 167,46
500 0,59196 295,98
1.000 0,46734 467,34

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI7625DN-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3.000
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,42348
  • Digi-Reel® ? : SI7625DN-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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