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Référence Digi-Key SI7812DN-T1-E3CT-ND
Quantité disponible 9.423
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI7812DN-T1-E3

Description MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8
Description étendue N-Channel 75V 16A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI7812DN
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 75V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 16 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 24 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 840 pF à 35 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,8 W (Ta), 52 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 37 mOhms à 7,2 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8
Boîtier PowerPAK® 1212-8
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI7812DN-T1-E3CT

11:15:02 2/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,90000 1,90
10 1,70800 17,08
25 1,61080 40,27
100 1,37230 137,23
250 1,28856 322,14
500 1,12750 563,75
1.000 0,93421 934,21

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI7812DN-T1-E3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3.000
  • Quantité disponible: 6.000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,84444
  • Digi-Reel® ? : SI7812DN-T1-E3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 9.423 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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