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Référence Digi-Key SI7852DP-T1-E3CT-ND
Quantité disponible 2.745
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI7852DP-T1-E3

Description MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Description étendue N-Channel 80V 7.6A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI7852DP
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1579 (CH2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 80V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7,6 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA (min)
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 41nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds -
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1,9 W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 16,5 mOhms à 10A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Boîtier PowerPAK® SO-8
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI7852DP-T1-E3CT

15:47:41 1/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,75000 1,75
10 1,56900 15,69
25 1,48040 37,01
100 1,26130 126,13
250 1,18436 296,09
500 1,03630 518,15
1.000 0,85865 858,65

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI7852DP-T1-E3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3.000
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,77614
  • Digi-Reel® ? : SI7852DP-T1-E3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 2.745 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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