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Référence Digi-Key SI7884BDP-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 1.730
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI7884BDP-T1-GE3

Description MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Description étendue N-Channel 40V 58A (Tc) 4.6W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI7884BDP
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1579 (CH2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 40V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 58 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 77nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3540pF à 20V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 4,6 W (Ta), 46 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 7,5 mOhms à 16A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Boîtier PowerPAK® SO-8
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI7884BDP-T1-GE3CT

05:22:43 1/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,56000 1,56
10 1,39700 13,97
25 1,32600 33,15
100 1,08920 108,92
250 1,01812 254,53
500 0,89972 449,86
1.000 0,71031 710,31

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI7884BDP-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3.000
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,64364
  • Digi-Reel® ? : SI7884BDP-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 1.730 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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