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Présentation des produits
Référence Digi-Key SI9407BDY-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 4.154
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI9407BDY-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI9407BDY
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1581 (CH2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 120 mOhms à 3,2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 22nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 600pF à 30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur)
Boîtier fournisseur 8-SO
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI9407BDY-T1-GE3CT

20:20:23 12/10/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,88000 0,88
10 0,77000 7,70
25 0,72280 18,07
100 0,58980 58,98
250 0,54788 136,97
500 0,46626 233,13
1.000 0,37301 373,01

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI9407BDY-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2.500
  • Quantité disponible: 2.500 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,32820
  • Digi-Reel® ? : SI9407BDY-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 4.154 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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