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Présentation des produits
Référence Digi-Key SIA456DJ-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 26.055
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SIA456DJ-T1-GE3

Description MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SIA456DJ
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1577 (CH2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,38 Ohms à 750mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 1,4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 14,5nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 350pF à 100V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier PowerPAK® SC-70-6
Boîtier fournisseur PowerPAK® SC-70-6 simple
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SIA456DJ-T1-GE3CT

14:58:10 12/10/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,87000 0,87
10 0,77300 7,73
25 0,73440 18,36
100 0,60320 60,32
250 0,56388 140,97
500 0,49834 249,17
1.000 0,39341 393,41

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SIA456DJ-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3.000
  • Quantité disponible: 21.000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,35649
  • Digi-Reel® ? : SIA456DJ-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 26.055 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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