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Référence Digi-Key SIHB33N60E-GE3-ND
Quantité disponible 4.340
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SIHB33N60E-GE3

Description MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
Description étendue N-Channel 600V 33A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount D2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 19 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SiHB33N60E
Module(s) de formation sur le produit High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
Additional Assembly Site 21/Oct/2016
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 33 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 150 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3508 pF à 100 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 278 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 99 mOhms à 16,5 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur D2PAK
Boîtier TO-263-3, D²Pak (2 broches + languette), TO-263AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1.000
Autres Noms SIHB33N60EGE3

04:31:03 3/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,83000 5,83
10 5,23700 52,37
25 4,95120 123,78
100 4,29100 429,10
250 4,07088 1.017,72
500 3,65278 1.826,39
1.000 3,08065 3.080,65

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