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Présentation des produits
Référence Digi-Key SIS412DN-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 1.555
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SIS412DN-T1-GE3

Description MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK
Description étendue N-Channel 30V 12A (Tc) 3.2W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SIS412DN
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 435pF à 15V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,2W (Ta), 15,6W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 24 mOhms à 7,8A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8
Boîtier PowerPAK® 1212-8
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SIS412DN-T1-GE3CT

23:20:41 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,56000 0,56
10 0,48900 4,89
25 0,45960 11,49
100 0,37520 37,52
250 0,34848 87,12
500 0,29658 148,29
1.000 0,23726 237,26

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SIS412DN-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3.000
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,20876
  • Digi-Reel® ? : SIS412DN-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 1.555 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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