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Référence Digi-Key SQS401EN-T1_GE3CT-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

SQS401EN-T1_GE3

Description MOSFET P-CH 40V 16A
Description étendue P-Channel 40V 16A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 18 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SQS401EN
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN SIL-040-2014-Rev-3 22/Sep/2014
Référence PCN New Ordering Code 19/Mar/2015
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 40V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 16 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 21,2 nC à 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1875 pF à 20 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 62,5 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 29 mOhms à 12 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8
Boîtier PowerPAK® 1212-8
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SQS401EN-T1_GE3CT

19:54:40 3/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,83000 0,83
10 0,74100 7,41
25 0,70320 17,58
100 0,57760 57,76
250 0,53996 134,99
500 0,47720 238,60
1.000 0,37672 376,72

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SQS401EN-T1_GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3.000
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,35356
  • Digi-Reel® ? : SQS401EN-T1_GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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