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Référence Digi-Key SUP75P03-07-E3-ND
Quantité disponible 8.820
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SUP75P03-07-E3

Description MOSFET P-CH 30V 75A TO220AB
Description étendue P-Channel 30V 75A (Tc) 3.75W (Ta), 187W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SUB/SUP75P03-07
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 75 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 240 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9000 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,75 W (Ta), 187 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 7 mOhms à 30 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms SUP75P0307E3

06:09:22 3/30/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,73000 2,73
10 2,45300 24,53
25 2,31440 57,86
100 1,97190 197,19
250 1,85156 462,89
500 1,62012 810,06
1.000 1,34239 1.342,39
2.500 1,24980 3.124,51

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