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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key C2M0280120D-ND
Quantità disponibile 3.407
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

C2M0280120D

Descrizione MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
Descrizione estesa N-Channel 1200V (1.2kV) 10A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole TO-247-3
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 8 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati C2M0280120D
Prodotto presentato Cree - Silicon Carbide Power MOSFETs
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Categorie
Fabbricante

Cree/Wolfspeed

Serie Z-FET™
Imballaggio ? Tubo ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 10 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 20V
Vgs(th) (max) a Id 2,8V a 1,25mA (tip.)
Carica del gate (Qg) max a Vgs 20,4nC a 20V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds 259pF a 1000V
Vgs (max) +25V, -10V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 62,5 W (Tc)
Rds On (max) - Id, Vgs 370 mOhm a 6A, 20V
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Foro passante
Contenitore del fornitore TO-247-3
Contenitore / involucro TO-247-3
 
da usare con
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Pacco Standard ? 30

05:55:14 1/24/2017

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 5,21000 5,21
100 5,01030 501,03
500 4,88298 2.441,49

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