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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key C2M0280120D-ND
Quantità disponibile 3.809
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

C2M0280120D

Descrizione MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 8 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati C2M0280120D
Prodotto presentato Cree - Silicon Carbide Power MOSFETs
Attributi del prodotto Seleziona tutto
Categoria

Dispositivi a semiconduttore discreti

Famiglia

Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Fabbricante

Cree/Wolfspeed

Serie Z-FET™
Imballaggio ? Tubo ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds On (max) - Id, Vgs 370 mOhm a 6A, 20V
Vgs(th) (max) a Id 2,8V a 1,25mA (tip.)
Carica di gate (Qg) - Vgs 20,4nC a 20V
Capacità ingresso (Ciss) a Vds 259pF a 1000V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) *
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Foro passante
Contenitore / involucro TO-247-3
Contenitore del fornitore TO-247-3
 
da usare con
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Pacco Standard ? 30

21:56:01 12/9/2016

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 5,12000 5,12
100 4,92300 492,30
500 4,79802 2.399,01

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