Aggiungi ai preferiti
Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key C2M1000170D-ND
Quantità disponibile 517
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

C2M1000170D

Descrizione MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 8 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati C2M1000170D
Moduli di addestramento sul prodotto Second-Generation C2M1000170D Silicon Carbide MOSFET
Prodotto presentato Cree - Silicon Carbide Power MOSFETs
SpeedFit™ Online Simulator
Attributi del prodotto Seleziona tutto
Categoria

Dispositivi a semiconduttore discreti

Famiglia

Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Fabbricante

Cree/Wolfspeed

Serie Z-FET™
Imballaggio ? Tubo ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione drain-source (Vdss) 1700V (1,7kV)
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 4,9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds On (max) - Id, Vgs 1,1 Ohm a 2A, 20V
Vgs(th) (max) a Id 2,4V a 100µA
Carica di gate (Qg) - Vgs 13nC a 20V
Capacità ingresso (Ciss) a Vds 191pF a 1000V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) *
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Foro passante
Contenitore / involucro TO-247-3
Contenitore del fornitore TO-247-3
 
da usare con
Prodotto affine
Prodotti collegati
Ti potrebbe anche interessare
Altre risorse
Pacco Standard ? 30

01:34:36 12/10/2016

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 4,95000 4,95
100 4,76270 476,27
500 4,64476 2.322,38

Invia una richiesta di preventivo per quantitativi superiori a quanto indicato.

Invia feedback