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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key IXFH6N100-ND
Quantità disponibile 255
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

IXFH6N100

Descrizione MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD
Descrizione estesa N-Channel 1000V (1kV) 6A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Tempi di consegna standard del produttore 8 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati IXF(H,M)6N90/100
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Categorie
Fabbricante

IXYS

Serie HiPerFET™
Imballaggio ? Tubo ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 6 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V
Vgs(th) (max) a Id 4,5V a 2,5mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 130nC a 10V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds 2600pF a 25V
Vgs (max) ±20V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 180 W (Tc)
Rds On (max) - Id, Vgs 2 Ohm a 500mA, 10V
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Foro passante
Contenitore del fornitore TO-247AD (IXFH)
Contenitore / involucro TO-247-3
 
Altre risorse
Pacco Standard ? 30

15:23:16 1/23/2017

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 8,54000 8,54
10 7,68800 76,88
25 7,00480 175,12
100 6,32120 632,12
250 5,80872 1.452,18
500 5,29618 2.648,09
1.000 4,61280 4.612,80

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