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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key IXTA3N120CT-ND
Quantità disponibile 1.606
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

IXTA3N120TRL

Descrizione MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
Descrizione estesa N-Channel 1200V (1.2kV) 3A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Documenti e risorse multimediali
Schede dati IXT(A,P)3N120
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Categorie
Fabbricante

IXYS

Serie -
Imballaggio ? Nastrato (CT) ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 3 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V
Vgs(th) (max) a Id 5 V a 250 µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 42 nC a 10 V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds 1350 pF a 25 V
Vgs (max) ±20V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 200 W (Tc)
Rds On (max) - Id, Vgs 4,5 Ohm a 1,5 A, 10 V
Temperatura di funzionamento -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore del fornitore TO-263 (IXTA)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 conduttori + linguetta), TO-263AB
 
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Altre risorse
Pacco Standard ? 1
Altri nominativi IXTA3N120CT

13:02:06 2/23/2017

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 6,12000 6,12
10 5,45700 54,57
25 4,91160 122,79
100 4,47480 447,48
250 4,03828 1.009,57

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