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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key IXTA3N120CT-ND
Quantità disponibile 2.116
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

IXTA3N120TRL

Descrizione MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Documenti e risorse multimediali
Schede dati IXT(A,P)3N120
Attributi del prodotto Seleziona tutto
Categoria

Dispositivi a semiconduttore discreti

Famiglia

Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Fabbricante

IXYS

Serie -
Imballaggio ? Nastrato (CT) ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds On (max) - Id, Vgs 4,5 Ohm a 1,5A, 10V
Vgs(th) (max) a Id 5V a 250µA
Carica di gate (Qg) - Vgs 42nC a 10V
Capacità ingresso (Ciss) a Vds 1350pF a 25V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) *
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 cavi+linguetta), TO-263AB
Contenitore del fornitore TO-263 (IXTA)
 
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Altre risorse
Pacco Standard ? 1
Altri nominativi IXTA3N120CT

10:49:28 12/10/2016

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 6,18000 6,18
10 5,51200 55,12
25 4,96160 124,04
100 4,52040 452,04
250 4,07936 1.019,84

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