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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key IXTY01N100-ND
Quantità disponibile 1.978
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

IXTY01N100

Descrizione MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK
Descrizione estesa N-Channel 1000V (1kV) 100mA (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 8 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati IXT(U,Y)01N100
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Categorie
Fabbricante

IXYS

Serie -
Imballaggio ? Nastrato (CT) ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 100 mA (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V
Vgs(th) (max) a Id 4,5 V a 25 µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 6,9 nC a 10 V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds 54 pF a 25 V
Vgs (max) ±20V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 25 W (Tc)
Rds On (max) - Id, Vgs 80 Ohm a 100 mA, 10 V
Temperatura di funzionamento -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore del fornitore TO-252AA
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 conduttori+ linguetta), SC-63
 
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Altre risorse
Pacco Standard ? 70
Altri nominativi 490458
IXTY01N100CT
IXTY01N100CT-ND

11:33:02 2/24/2017

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 1,79000 1,79
10 1,62100 16,21
25 1,44720 36,18
100 1,30240 130,24
250 1,15768 289,42
500 1,01296 506,48
1.000 0,83931 839,31
2.500 0,78142 1.953,56
5.000 0,75248 3.762,41

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