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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key IXTY08N100D2-ND
Quantità disponibile 2.151
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

IXTY08N100D2

Descrizione MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
Descrizione estesa N-Channel 1000V (1kV) 800mA (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 10 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati IXT(Y,A,P)08N100D2
Prodotto presentato Depletion-Mode D2™ Power MOSFETs
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Categorie
Fabbricante

IXYS

Serie -
Imballaggio ? Tubo ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 800 mA (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) -
Vgs(th) (max) a Id -
Carica del gate (Qg) max a Vgs 14,6 nC a 5 V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds 325 pF a 25 V
Vgs (max) ±20V
Funzione FET Modalità di svuotamento
Dissipazione di potenza (max) 60 W (Tc)
Rds On (max) - Id, Vgs 21 Ohm a 400 mA, 0 V
Temperatura di funzionamento -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore del fornitore TO-252, (D-Pak)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 conduttori+ linguetta), SC-63
 
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Altre risorse
Pacco Standard ? 70

16:26:01 2/20/2017

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 2,32000 2,32
10 2,09100 20,91
25 1,86720 46,68
100 1,68050 168,05
250 1,49376 373,44
500 1,30704 653,52
1.000 1,08298 1.082,98
2.500 1,00829 2.520,72
5.000 0,97094 4.854,72

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