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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key IXTY08N100D2-ND
Quantità disponibile 1.214
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

IXTY08N100D2

Descrizione MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 10 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati IXT(Y,A,P)08N100D2
Prodotto presentato Depletion-Mode D2™ Power MOSFETs
Attributi del prodotto Seleziona tutto
Categoria

Dispositivi a semiconduttore discreti

Famiglia

Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Fabbricante

IXYS

Serie -
Imballaggio ? Tubo ?
Stato componente Attivo
Tipo FET MOSFET canale N, metallo-ossido
Funzione FET Modalità di svuotamento
Tensione drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 800mA (Tc)
Rds On (max) - Id, Vgs 21 Ohm a 400mA, 0V
Vgs(th) (max) a Id -
Carica di gate (Qg) - Vgs 14,6nC a 5V
Capacità ingresso (Ciss) a Vds 325pF a 25V
Potenza max 60W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 cavi+linguetta), SC-63
Contenitore del fornitore TO-252, (D-Pak)
 
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Altre risorse
Pacco Standard ? 70

21:15:39 12/5/2016

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 2,34000 2,34
10 2,11300 21,13
25 1,88640 47,16
100 1,69760 169,76
250 1,50896 377,24
500 1,32034 660,17
1.000 1,09400 1.094,00
2.500 1,01855 2.546,37
5.000 0,98082 4.904,12

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