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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key APT25GP120BDQ1G-ND
Quantità disponibile 509
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

APT25GP120BDQ1G

Descrizione IGBT PT 1200V 69A 417W Through Hole TO-247 [B]
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 22 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati APT25GP120BDQ1(G)
Power Products Catalog
Pagina catalogo 1549 (CH2011-IT PDF)
Attributi del prodotto Seleziona tutto
Categoria

Dispositivi a semiconduttore discreti

Famiglia

Transistor - IGBT - Singoli

Fabbricante

Microsemi Corporation

Serie POWER MOS 7®
Imballaggio ? Tubo ?
Stato componente Attivo
Tipo IGBT PT
Tensione di rottura collettore-emettitore (max) 1200V
Corrente di collettore (Ic) (max) 69A
Corrente - pulsata collettore (Icm) 90A
Vce(on) (max) a Vge, Ic 3,9V a 15V, 25A
Potenza max 417W
Energia di commutazione 500µJ (on), 440µJ (off)
Tipo di ingresso Standard
Carica del gate 110nC
Td (on/off) a 25 °C 12ns/70ns
Condizione di test 600V, 25A, 5 Ohm, 15V
Tempo di ripristino inverso (trr) -
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Foro passante
Contenitore / involucro TO-247-3
Contenitore del fornitore TO-247 [B]
 
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Pacco Standard ? 1
Altri nominativi APT25GP120BDQ1GMI
APT25GP120BDQ1GMI-ND

19:23:07 12/5/2016

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 12,18000 12,18
10 11,06800 110,68
50 10,23820 511,91
100 9,40820 940,82
250 8,57804 2.144,51
500 8,02460 4.012,30
1.000 7,36049 7.360,49
2.500 7,08378 17.709,46
5.000 6,86241 34.312,07

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