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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key 1727-4319-1-ND
Quantità disponibile 41.108
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

BSH103,215

Descrizione MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23
Descrizione estesa N-Channel 30V 850mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 6 settimane
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Categorie
Fabbricante

Nexperia USA Inc.

Serie -
Imballaggio ? Nastrato (CT) ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain-source (Vdss) 30V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 850 mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V
Vgs(th) (max) a Id 400 mV a 1 mA (min)
Carica del gate (Qg) max a Vgs 2,1 nC a 4,5 V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds 83 pF a 24 V
Vgs (max) ±8 V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 540 mW (Ta)
Rds On (max) - Id, Vgs 400 mOhm a 500 mA, 4,5 V
Temperatura di funzionamento -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore del fornitore TO-236AB (SOT23)
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
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Altre risorse
Pacco Standard ? 1
Altri nominativi 1727-4319-1
568-5013-1
568-5013-1-ND

12:25:42 3/30/2017

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 0,36000 0,36
10 0,28800 2,88
100 0,19600 19,60
500 0,14702 73,51
1.000 0,11026 110,26

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Confezioni alternative | questo componente e' reperibile anche nelle seguenti confezioni
  • Nastrati in bobina (nib) ? : 1727-1883-2-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 10.000
  • Quantità disponibile: 20.000 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: 0,08623
  • Nastrati in bobina (nib) ? : 1727-4319-2-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 3.000
  • Quantità disponibile: 39.000 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: 0,09813
  • Nastrato (CT) ? : 1727-1883-1-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 1
  • Quantità disponibile: 27.297 - Immediatamente
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