FDV302P è obsoleto e non è più in produzione.
Sostituti disponibili:

Diretto


onsemi
In magazzino: 3’207
Prezzo unitario : Fr. 0.42000
Scheda tecnica

Simile


Diodes Incorporated
In magazzino: 10’000
Prezzo unitario : Fr. 0.40000
Scheda tecnica

Simile


Diodes Incorporated
In magazzino: 28’011
Prezzo unitario : Fr. 0.40000
Scheda tecnica

Simile


Taiwan Semiconductor Corporation
In magazzino: 20’459
Prezzo unitario : Fr. 0.66000

FDV302P

Codice DigiKey
FDV302PTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
FDV302PCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
FDV302PDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
FDV302P
Descrizione
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 25 V 120mA (Ta) 350mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
FDV302P Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
25 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
2,7V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs
10ohm a 200mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
0.31 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
-8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
11 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
350mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
SOT-23-3
Contenitore/involucro
Codice componente base