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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key NTB25P06T4GOSCT-ND
Quantità disponibile 6
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

NTB25P06T4G

Descrizione MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Descrizione estesa P-Channel 60V 27.5A (Ta) 120W (Tj) Surface Mount D2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 28 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati NTB25P06
Progettazione/specifica PCN Wafer Probe Measurement 16/Oct/2013
Assemblaggio/origine PCN TMOS7 Wafer Fab Expansion 04/Dec/2013
Pagina catalogo 1474 (CH2011-IT PDF)
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Categorie
Fabbricante

ON Semiconductor

Serie -
Imballaggio ? Nastrato (CT) ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale P
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain-source (Vdss) 60V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 27,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V
Vgs(th) (max) a Id 4 V a 250 µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 50 nC a 10 V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds 1680 pF a 25 V
Vgs (max) ±15 V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 120 W (Tj)
Rds On (max) - Id, Vgs 82 mOhm a 25 A, 10 V
Temperatura di funzionamento -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore del fornitore D2PAK
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 conduttori + linguetta), TO-263AB
 
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Pacco Standard ? 1
Altri nominativi NTB25P06T4GOSCT

13:09:22 3/25/2017

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 1,60000 1,60
10 1,43100 14,31
100 1,15040 115,04

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Confezioni alternative | questo componente e' reperibile anche nelle seguenti confezioni
  • Nastrati in bobina (nib) ? : NTB25P06T4GOSTR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 800
  • Quantità disponibile: 0
  • Prezzo unitario: 0,91760
  • Digi-Reel® ? : NTB25P06T4GOSDKR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 1
  • Quantità disponibile: 6 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: Digi-Reel®
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