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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key NTD6416ANLT4GOSCT-ND
Quantità disponibile 6.714
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

NTD6416ANLT4G

Descrizione MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
Descrizione estesa N-Channel 100V 19A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 5 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati NTD6416ANL
Assemblaggio/origine PCN Qualification Assembly Test Site 20/Feb/2014
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Categorie
Fabbricante

ON Semiconductor

Serie -
Imballaggio ? Nastrato (CT) ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain-source (Vdss) 100V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 19 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max) a Id 2,2 V a 250 µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 40 nC a 10 V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds 1000 pF a 25 V
Vgs (max) ±20V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 71 W (Tc)
Rds On (max) - Id, Vgs 74 mOhm a 19 A, 10 V
Temperatura di funzionamento -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore del fornitore DPAK
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 conduttori+ linguetta), SC-63
 
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Altre risorse
Pacco Standard ? 1
Altri nominativi NTD6416ANLT4GOSCT

08:07:24 2/27/2017

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 0,89000 0,89
10 0,79200 7,92
100 0,61750 61,75
500 0,51012 255,06
1.000 0,40273 402,73

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Confezioni alternative | questo componente e' reperibile anche nelle seguenti confezioni
  • Nastrati in bobina (nib) ? : NTD6416ANLT4GOSTR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 2.500
  • Quantità disponibile: 5.000 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: 0,36492
  • Digi-Reel® ? : NTD6416ANLT4GOSDKR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 1
  • Quantità disponibile: 6.714 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: Digi-Reel®
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