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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key NTMS10P02R2GOSCT-ND
Quantità disponibile 4.840
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

NTMS10P02R2G

Descrizione MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
Descrizione estesa P-Channel 20V 8.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 13 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati NTMS10P02R2
Progettazione/specifica PCN Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008
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Categorie
Fabbricante

ON Semiconductor

Serie -
Imballaggio ? Nastrato (CT) ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale P
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain-source (Vdss) 20V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 8,8 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V
Vgs(th) (max) a Id 1,2 V a 250 µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 70 nC a 4,5 V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds 3640 pF a 16 V
Vgs (max) ±12V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 1,6 W (Ta)
Rds On (max) - Id, Vgs 14 mOhm a 10 A, 4,5 V
Temperatura di funzionamento -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore del fornitore 8-SOIC
Contenitore / involucro 8-SOIC (0,154", 3,90 mm di larghezza)
 
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Pacco Standard ? 1
Altri nominativi NTMS10P02R2GOSCT

01:40:06 2/25/2017

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 1,48000 1,48
10 1,31800 13,18
100 1,02800 102,80
500 0,84920 424,60
1.000 0,67043 670,43

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Confezioni alternative | questo componente e' reperibile anche nelle seguenti confezioni
  • Nastrati in bobina (nib) ? : NTMS10P02R2GOSTR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 2.500
  • Quantità disponibile: 2.500 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: 0,60751
  • Digi-Reel® ? : NTMS10P02R2GOSDKR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 1
  • Quantità disponibile: 4.840 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: Digi-Reel®
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