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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key NVF3055L108T1GOSCT-ND
Quantità disponibile 5.489
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

NVF3055L108T1G

Descrizione MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Descrizione estesa N-Channel 60V 3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-223
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 20 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati NTF3055L108
Progettazione/specifica PCN Wafer Probe Measurement 16/Oct/2013
Packaging PCN Covering Tape/Material Chg 20/May/2016
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Categorie
Fabbricante

ON Semiconductor

Serie -
Imballaggio ? Nastrato (CT) ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain-source (Vdss) 60V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 3 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V
Vgs(th) (max) a Id 2 V a 250 µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 15 nC a 5 V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds 440 pF a 25 V
Vgs (max) ±15 V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 1,3 W (Ta)
Rds On (max) - Id, Vgs 120 mOhm a 1,5 A, 5 V
Temperatura di funzionamento -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore del fornitore SOT-223
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA
 
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  • Prezzo unitario 8,92000
  • 1195-2324-ND
Altre risorse
Pacco Standard ? 1
Altri nominativi NVF3055L108T1GOSCT

03:54:25 3/24/2017

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 0,72000 0,72
10 0,63500 6,35
100 0,48710 48,71
500 0,38504 192,52

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Confezioni alternative | questo componente e' reperibile anche nelle seguenti confezioni
  • Nastrati in bobina (nib) ? : NVF3055L108T1GOSTR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 1.000
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  • Prezzo unitario: Digi-Reel®
  • Nastrati in bobina (nib) ? : NVF3055L108T3G-ND
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  • Quantità disponibile: 0
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