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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key SCT2120AFC-ND
Quantità disponibile 987
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

SCT2120AFC

Descrizione MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 18 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati SCT2120AF Datasheet
Note applicative SiC Power Devices and Modules
File video ROHM Semiconductor SiC MOSFET Technology
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Categoria

Dispositivi a semiconduttore discreti

Famiglia

Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Fabbricante

Rohm Semiconductor

Serie -
Imballaggio ? Tubo ?
Stato componente Attivo
Tipo FET MOSFET canale N, metallo-ossido
Funzione FET Carburo di silicio (SiC)
Tensione drain-source (Vdss) 650V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 29A (Tc)
Rds On (max) - Id, Vgs 156 mOhm a 10A, 18V
Vgs(th) (max) a Id 4V a 3,3mA
Carica di gate (Qg) - Vgs 61nC a 18V
Capacità ingresso (Ciss) a Vds 1200pF a 500V
Potenza max 165W
Temperatura di funzionamento 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Foro passante
Contenitore / involucro TO-220-3
Contenitore del fornitore TO-220AB
 
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Pacco Standard ? 1.000

18:55:26 12/7/2016

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 8,55000 8,55
100 7,86830 786,83

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