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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key SCT2160KEC-ND
Quantità disponibile 2.548
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

SCT2160KEC

Descrizione MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247
Descrizione estesa N-Channel 1200V (1.2kV) 22A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-247
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 18 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati SCT2160KE
Note applicative SiC Power Devices and Modules
Moduli di addestramento sul prodotto SiC MOSFETs
File video ROHM Semiconductor SiC MOSFET Technology
Prodotto presentato 2nd Generation High-Voltage SiC MOSFETs
1200 V Silicon Carbide (SiC) Diodes
Attributi del prodotto Seleziona tutto
Categorie
Fabbricante

Rohm Semiconductor

Serie -
Imballaggio ? Tubo ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 22 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 18V
Vgs(th) (max) a Id 4 V a 2,5 mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 62 nC a 18 V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds 1200 pF a 800 V
Vgs (max) +22 V, -6 V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 165 W (Tc)
Rds On (max) - Id, Vgs 208 mOhm a 7 A, 18 V
Temperatura di funzionamento 175 °C (TJ)
Tipo di montaggio Foro passante
Contenitore del fornitore TO-247
Contenitore / involucro TO-247-3
 
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Pacco Standard ? 360

06:17:10 3/26/2017

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 14,43000 14,43
10 13,12300 131,23
25 12,13920 303,48
100 11,15500 1.115,50
250 10,17068 2.542,67

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