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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key 497-6197-1-ND
Quantità disponibile 12.155
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

STQ1NK80ZR-AP

Descrizione MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92
Descrizione estesa N-Channel 800V 300mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 16 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati STx1NK80ZR(R-AP,-1)
Prodotto presentato Power MOSFETs
Pagina catalogo 1459 (CH2011-IT PDF)
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Categorie
Fabbricante

STMicroelectronics

Serie SuperMESH™
Imballaggio ? Nastrato (CT) ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain-source (Vdss) 800V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 300 mA (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V
Vgs(th) (max) a Id 4,5 V a 50 µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 7,7 nC a 10 V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds 160 pF a 25 V
Vgs (max) ±30 V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 3 W (Tc)
Rds On (max) - Id, Vgs 16 Ohm a 500 mA, 10 V
Temperatura di funzionamento -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo di montaggio Foro passante
Contenitore del fornitore TO-92-3
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (conduttori formati)
 
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Altre risorse
Pacco Standard ? 1
Altri nominativi 497-6197-1

15:15:15 3/25/2017

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 0,73000 0,73
10 0,63700 6,37
100 0,48810 48,81
500 0,38590 192,95
1.000 0,30874 308,74

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Confezioni alternative | questo componente e' reperibile anche nelle seguenti confezioni
  • Nastro e confezione (NC) ? : 497-6197-3-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 2.000
  • Quantità disponibile: 12.000 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: 0,27164
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