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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key 497-16127-5-ND
Quantità disponibile 416
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

STW65N65DM2AG

Descrizione MOSFET N-CH 650V 60A
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 10 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati STW65N65DM2AG
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Categoria

Dispositivi a semiconduttore discreti

Famiglia

Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Fabbricante

STMicroelectronics

Serie Automobilistico, AEC-Q101, MDmesh™
Imballaggio ? Tubo ?
Stato componente Attivo
Tipo FET MOSFET canale N, metallo-ossido
Funzione FET Standard
Tensione drain-source (Vdss) 650V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 60A (Tc)
Rds On (max) - Id, Vgs 50 mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (max) a Id 5V a 250µA
Carica di gate (Qg) - Vgs 120nC a 10V
Capacità ingresso (Ciss) a Vds 5500pF a 100V
Potenza max 446W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Foro passante
Contenitore / involucro TO-247-3
Contenitore del fornitore TO-247
 
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Pacco Standard ? 30
Altri nominativi 497-16127-5

09:03:18 12/7/2016

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 9,14000 9,14
10 8,25300 82,53
100 6,83240 683,24
500 5,94954 2.974,77
1.000 5,18186 5.181,86

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