Aggiungi ai preferiti
Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key IRF510PBF-ND
Quantità disponibile 3.332
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

IRF510PBF

Descrizione MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
Descrizione estesa N-Channel 100V 5.6A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 11 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati IRF510
Packaging Information
File video MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblaggio/origine PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Modelli EDA / CAD ? Scarica da Ultra Librarian
Pagina catalogo 1444 (CH2011-IT PDF)
Attributi del prodotto Seleziona tutto
Categorie
Fabbricante

Vishay Siliconix

Serie -
Imballaggio ? Tubo ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain-source (Vdss) 100V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 5,6 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V
Vgs(th) (max) a Id 4 V a 250 µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 8,3 nC a 10 V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds 180 pF a 25 V
Vgs (max) ±20V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 43 W (Tc)
Rds On (max) - Id, Vgs 540 mOhm a 3,4 A, 10 V
Temperatura di funzionamento -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo di montaggio Foro passante
Contenitore del fornitore TO-220AB
Contenitore / involucro TO-220-3
 
Ti potrebbe anche interessare
Altre risorse
Pacco Standard ? 50
Altri nominativi *IRF510PBF

08:24:00 2/25/2017

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 0,84000 0,84
10 0,73900 7,39
25 0,69440 17,36
100 0,56690 56,69
250 0,52656 131,64
500 0,44812 224,06
1.000 0,35850 358,50
2.500 0,32489 812,23
5.000 0,30249 1.512,43

Invia una richiesta di preventivo per quantitativi superiori a quanto indicato.

Invia feedback