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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key IRF630PBF-ND
Quantità disponibile 7.645
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

IRF630PBF

Descrizione MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
Descrizione estesa N-Channel 200V 9A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 11 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati IRF630PBF
Packaging Information
File video MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblaggio/origine PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Modelli EDA / CAD ? Scarica da Ultra Librarian
Pagina catalogo 1444 (CH2011-IT PDF)
Attributi del prodotto Seleziona tutto
Categorie
Fabbricante

Vishay Siliconix

Serie -
Imballaggio ? Tubo ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain-source (Vdss) 200V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 9 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V
Vgs(th) (max) a Id 4 V a 250 µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 43 nC a 10 V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds 800 pF a 25 V
Vgs (max) ±20V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 74 W (Tc)
Rds On (max) - Id, Vgs 400 mOhm a 5,4 A, 10 V
Temperatura di funzionamento -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo di montaggio Foro passante
Contenitore del fornitore TO-220AB
Contenitore / involucro TO-220-3
 
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Pacco Standard ? 50
Altri nominativi *IRF630PBF

00:23:57 2/22/2017

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 0,96000 0,96
10 0,85900 8,59
25 0,81560 20,39
100 0,67000 67,00
250 0,62624 156,56
500 0,55344 276,72
1.000 0,43692 436,92
2.500 0,40780 1.019,49
5.000 0,38741 1.937,03

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