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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key IRF630PBF-ND
Quantità disponibile 8.481
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

IRF630PBF

Descrizione MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 11 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati IRF630PBF
Packaging Information
File video MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblaggio/origine PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Modelli EDA / CAD ? Scarica da Accelerated Designs
Pagina catalogo 1444 (CH2011-IT PDF)
Attributi del prodotto Seleziona tutto
Categoria

Dispositivi a semiconduttore discreti

Famiglia

Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Fabbricante

Vishay Siliconix

Serie -
Imballaggio ? Tubo ?
Stato componente Attivo
Tipo FET MOSFET canale N, metallo-ossido
Funzione FET Standard
Tensione drain-source (Vdss) 200V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 9A (Tc)
Rds On (max) - Id, Vgs 400 mOhm a 5,4A, 10V
Vgs(th) (max) a Id 4V a 250µA
Carica di gate (Qg) - Vgs 43nC a 10V
Capacità ingresso (Ciss) a Vds 800pF a 25V
Potenza max 74W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Foro passante
Contenitore / involucro TO-220-3
Contenitore del fornitore TO-220AB
 
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Altre risorse
Pacco Standard ? 50
Altri nominativi *IRF630PBF

18:21:36 12/7/2016

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 0,97000 0,97
10 0,86800 8,68
25 0,82400 20,60
100 0,67680 67,68
250 0,63264 158,16
500 0,55906 279,53
1.000 0,44137 441,37
2.500 0,41195 1.029,87
5.000 0,39135 1.956,74

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